据4月19日消息，近期在韩国官网上发布两位高层关于HBM内存的访问录。其中，他们透露出三星正计划将TC-NCF技术应用于16层HBM4内存制造。

　　TC-NCF是有凸块的传统多层DRAM间键合工艺，相比无凸块的混合键合技术更为成熟，然而由于凸块的存在，采用TC-NCF生产的同层数HBM内存厚度会相应增加。

　　三星透露，近期已成功运用TC-NCF键合工艺推出12层堆叠的36GB HBM3E内存。在此过程中，三星通过结构优化解决了发热问题，确保了高堆叠层数下HBM的稳定性。

　　除了继续沿用TC-NCF键合技术，据IT之家早先报道，三星在HBM4内存生产中还将采用混合键合技术，采取“双管齐下”策略。

　　三星高层认为，若及内存制造商各自优化产品，难以满足未来AGI对算力的需求，故双方需紧密协作，为特定AI需求量身打造HBM内存便是实现AGI的关键步骤。

　　三星电子将充分发挥其全产业链优势，包括逻辑芯片代工、内存生产以及先进封装业务，构建HBM内存定制生态平台，以迅速响应用户的个性化需求。

　　另外，三星电子已经开始与客户探讨未来的3D HBM内存（即将HBM与逻辑芯片垂直整合）方案。

　　基础裸片即DRAM堆叠基座，兼具与处理器通信的控制功能。SK海力士近期与台积电签订

　　3E芯片研发方面遥遥领先其他公司，有能力在2024年9月实现对英伟达的替代，这意味着它将成为英伟达12层

　　的关键所在为多层DRAM堆叠，市场主要采用两种键合作程： SK海力士旗下的MR-RUF与

　　方案。前者为反流焊接粘附DRAM，后填塑模具填充间隙；后者则为热压粘连

　　预计将于 2026 年推出，具有针对英伟达和其他 CSP 未来产品量身定制的增强规格和性能。在更高速度的推动下，

　　2024 Q1完成 /

　　Sangjun Hwang还表示：“正在准备开发出最适合高温热特性的非导电粘合膜（

　　【书籍评测活动NO.32】硬核科普书《计算》，豆瓣评分9.8，荣膺图书界至高奖项